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三星主導(dǎo)垂直芯片研發(fā)：目標(biāo)將HBM的 I/O 提升10倍、帶寬提升 4 倍
- 盡管 JEDEC 計(jì)劃放寬 HBM 高度限制，將 HBM4 的上限從 775 微米上調(diào)至約 900 微米，行業(yè)仍在持續(xù)尋求突破傳統(tǒng) HBM 架構(gòu)的結(jié)構(gòu)瓶頸。據(jù)《ET News》報(bào)道，三星電子未來技術(shù)研究項(xiàng)目下一項(xiàng)基于垂直芯片（Vertical Die） 的先進(jìn)封裝研發(fā)已取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。值得關(guān)注的是，該方案據(jù)稱可將I/O 密度提升最高 10 倍、帶寬提升約 4 倍。報(bào)道稱，該項(xiàng)目由韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）權(quán)志旼教授擔(dān)任首席研究員，已取得重要學(xué)術(shù)里程碑：一篇關(guān)于 Vertical Die 架構(gòu)的論文已被
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HBM4新競(jìng)局 Base Die成勝負(fù)關(guān)鍵
- AI算力競(jìng)賽持續(xù)升級(jí)，高帶寬記憶體（HBM）正式邁入新一輪技術(shù)分水嶺。 隨AMD與三星半導(dǎo)體宣布擴(kuò)大策略合作，鎖定HBM4與下一代AI存儲(chǔ)器解決方案開發(fā)，市場(chǎng)關(guān)注焦點(diǎn)已不再局限于DRAM堆疊本身，而是轉(zhuǎn)向「Base Die（邏輯基底芯片）」設(shè)計(jì)能力。 創(chuàng)意近期完成HMB4 PHY及控制IC之測(cè)試片（Testchips），可對(duì)標(biāo)「首家內(nèi)存廠HBM4樣品」; 半導(dǎo)體業(yè)界推測(cè)，隨著Base Die往先進(jìn)制程推進(jìn)，內(nèi)存大廠將越發(fā)依賴ASIC業(yè)者奧援。AMD與三星合作，核心在于下一代Instinct MI455X
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Arteris推出升級(jí)版Multi-Die 解決方案，加速AI驅(qū)動(dòng)芯片創(chuàng)新
- 加利福尼亞州坎貝爾—2025 年 6 月 17 日—在人工智能計(jì)算需求重塑市場(chǎng)格局之際，致力于加速系統(tǒng)級(jí)芯片 (SoC) 開發(fā)的領(lǐng)先系統(tǒng) IP 提供商 Arteris 公司（納斯達(dá)克股票代碼：AIP）今天宣布擴(kuò)展其 Multi-Die 解決方案，為基于芯粒的快速創(chuàng)新提供基礎(chǔ)性技術(shù)支撐。?Arteris 總裁兼首席執(zhí)行官 K. Charles Janac 表示：“在芯粒時(shí)代，傳統(tǒng)單片式芯片設(shè)計(jì)已越來越難以滿足日益增長(zhǎng)的計(jì)算需求。Arteris正通過基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、經(jīng)過硅驗(yàn)證的自動(dòng)化解決方案，引領(lǐng)行業(yè)
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Arrow Lake Die Shot展示了Intel 基于chiplet的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)
- 英特爾 Arrow Lake 架構(gòu)的模具照片已經(jīng)發(fā)布，展示了英特爾注入小芯片（tile）的設(shè)計(jì)的所有榮耀。X 上的 Andreas Schiling 分享了幾張 Arrow Lake 的近距離圖片，揭示了 Arrow Lake 各個(gè)圖塊的布局和計(jì)算圖塊內(nèi)內(nèi)核的布局。第一張照片展示了英特爾臺(tái)式機(jī)酷睿 Ultra 200S 系列 CPU 的完整芯片，計(jì)算圖塊位于左上角，IO 圖塊位于底部，SoC 圖塊和 GPU 圖塊位于右側(cè)。左下角和右上角是兩個(gè)填充模具，旨在提供結(jié)構(gòu)剛度。計(jì)算芯片在 TS
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Bourns推出ChipLAN 10/100 Base-T變壓器模塊
- 2020年5月26日 - 美國(guó)柏恩Bourns全球知名電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，今天宣布推出新型ChipLAN 10/100 Base-T變壓器模塊，有助于以太網(wǎng)絡(luò)和基于LAN的應(yīng)用開發(fā)人員節(jié)省寶貴的電路板空間，提高設(shè)計(jì)靈活性，同時(shí)滿足動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)線的要求。這款新型變壓器將兩個(gè)SM453229-381N7Y ChipLAN變壓器和兩個(gè)SRF2012A-801Y共模芯片電感器整合到帶有黑色金屬屏蔽層的PCB上，為客戶提供了簡(jiǎn)化的組裝解決方案，該解決方案的特點(diǎn)為引腳對(duì)引腳兼容結(jié)合傳統(tǒng)密封LAN變壓器，并提供了出色的
- 關(guān)鍵字： 柏恩 Bourns ChipLAN 10/100 Base-T 變壓器模塊
三星宣布新層疊封裝技術(shù) 8層僅厚0.6mm
- 三星公司今天宣布，該公司已經(jīng)成功開發(fā)出了全球最薄的Multi-die堆疊封裝技術(shù)，將8顆閃存晶片(Die)層疊封裝在一顆芯片內(nèi)，厚度僅為0.6mm，比目前常見的8層封裝技術(shù)厚度降低一半。三星的這項(xiàng)技術(shù)最初是為32GB閃存顆粒設(shè)計(jì)的，將8顆30nm工藝32Gb NAND閃存核心層疊封裝在一顆芯片內(nèi)，每層晶片的實(shí)際厚度僅為15微米，最終封裝完成的芯片才實(shí)現(xiàn)了0.6mm的厚度。據(jù)稱這樣的超薄大容量閃存芯片可 以讓手機(jī)和移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)者在存儲(chǔ)模塊上節(jié)省40%的空間和重量。 三星稱，這項(xiàng)層疊封裝新技術(shù)的關(guān)鍵
- 關(guān)鍵字： 三星 封裝 Multi-die
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